div class="pro_js"> 產(chǎn)品介紹 針對MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)，芯能在國內(nèi)率先開發(fā)出驅(qū)動(dòng)IC，具有高可靠性和廣泛的兼容性，可以滿足消費(fèi)、家電、工業(yè)、新能源等領(lǐng)域?qū)﹄姍C(jī)驅(qū)動(dòng)和電源轉(zhuǎn)換的多樣化需求。 ...

產(chǎn)品介紹 芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結(jié)構(gòu)的場截止技術(shù)（Trench Field Stop），溝槽元胞結(jié)構(gòu)大大增加器件的功率密度，通過超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer P...

產(chǎn)品介紹 IPM將功率器件連同其驅(qū)動(dòng)電路和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊內(nèi)，進(jìn)行過完美的匹配，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者從繁瑣的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)中解脫出來，同時(shí)提高了系統(tǒng)的可靠性。 ...

產(chǎn)品介紹芯能的IGBT采用國際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢...